该项目的主要创新点:
①采用两种不同粒径的氮化硅粉体,通过加入Mg0—Y0二元烧结助剂,采用气压烧结工艺,提高了氮化硅陶瓷的致密性 通过控制坯体碳残留可纯化晶界,提升了氮化硅热
导率
②提出了采用纳米 Ag 粉、微米级 Cu 粉及 Ti 粉制备出适合 AMB 基板的 Ag Cu — T 活性焊料方法,并开发了一种特殊的纳米银分散技术,有效降低了 AMB 基板孔洞率和热阻
③研制出具有选择性蚀刻 Ag 、 Ti 的腐蚀液,突破了精细线条蚀刻关键技术,解决了活性焊料层蚀刻不均匀和焊料残留等难题,制备出了0.3mm厚铜、最小线间距仅为0.45mm的 AMB 基板。
3.该项目打破国外技术垄断,实现自主可控,在国内率先建立年产60万片 AMB 基板和年产30万片氮化硅基板生产线 实现了14种190mmX139mm大尺寸 AMB 基板及190mm×139mm×0.32mm氮化硅基板稳定、批量化生产,成品率超过90%,产品已推广应用于嘉兴斯达、杭州士兰微、 Sesata 等企业。
  该技术具有自主知识产权,达到国际先进水平,社会效益显著,应用前景广阔。