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Trench FS IGBT 产品产业化关键技术
标 签:
芯片,
应用场景:
能源汽车、变频家电
所 在 地:
吉林省
成果水平:
国际先进
应用阶段:
可以量产
成果属性:
国外引进吸收消化创新
合作方式:
价 格:
面议
成果详情
    Trench-FS结构是IGBT器件发展过程中所提出的一类非常重要结构,其通态损耗与开关损耗、通态损耗与器件耐压之间具有很好的折中关系,可广泛应用于消费、工业控制等领域。迄今为止,市场上所见的Trench-FS IGBT产品都是如Infineon、Toshiba等国外大公司推出的,该结构的制作核心技术都掌握在这些国外大公司手里,国内的Planar结构的IGBT的商业化处于起步阶段,对Trench-FS结构IGBT的研制还处于摸索时期。 和国内某知名工厂合作,提出一种1200V Trench-FS IGBT器件的设计与制造方法,并且进行试验。文中围绕着1200V Trench-FS IGBT研制工作展开描述。 1、首先对IGBT及具有Trench-FS结构IGBT的工艺原理进行分析讨论,然后结合工艺线特点,进行Trench-FS结构IGBT的工艺流程、器件元胞与终端结构设计,其后完成版图并进行流片。所设计的工艺流程为:先进行背面FS层的制作,然后进行正面(元胞、终端)的制作,最后背面的P+注入,金属化。 2、对所研制的1200V Trench-FS IGBT器件进行了静态参数与动态参数的测试分析。测试结果为:耐压1288V、正向导通压降2.29V、阈值电压6.20V、开启延迟时间51.7ns、开启上升时间46.5ns、关断延迟时间173ns、关断下降时间101ns。该指标和国外同类产品的指标基本一致。 本文的研究成果对推动我国Trench-FS结构IGBT的产业化具有一定的作用,在完善工艺及结构的基础上,提高良率,最终可以很好的形成产品。
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