技术提供者身份:技术独立研发者
技术研发阶段:中试
交易方式:授权许可
技术标签:智能制造-信息技术-物联网技术
研发背景
这是一种新的纳米加工工艺-紫外线纳米压印光刻(UV-NIL),用来制作半导体纳米结构或器件。所开发的技术可广泛应用于各种材料、制作的精密光栅可用于不同波长的光电子器件/集成电路或光器件/集成电路。
应用范围
本技术可广泛应用于各种材料、制作的精密光栅可用于不同波长的光电子器件/集成电路或光器件/集成电路。
技术路线及原理
采用UV-NIL技术制造横向光栅分布反馈激光器。技术优势: 激光器外延片只需一次生长,因此大大降低了激光器制作成本,提高了性能和成品率;适用于各种材料和发射波长。我们开发的技术提高了NIL制作激光器的设计自由度,并改善了转移图形的质量。
技术特色
1、单片集成MOPA 解决方案低功耗、体积小、更耐用; 2、快速调谐; 3、稳定性提高,抗干扰(震动、冲击); 4、可移动配置。
经济效益分析
采用UV纳米压印光刻技术制作横向耦合脊型波导表面光栅结构,制作成本低、生产效率和成品率都得到改善。