本项目主要开发面向三维硅通孔工艺的光敏型聚合物绝缘层材料以取代传统高成本、低可靠性的氧化硅工艺。光敏型硅通孔聚合物绝缘材料主要通过旋涂或者喷涂的工艺在硅通孔内部制备保形涂层，同时通过曝光显影实现通孔底部胶层的图案化和满足信号从正面到背面的导通，最后采用低温固化工艺完成绝缘层的制备

技术参数

光敏型硅通孔聚合物绝缘材料加工工艺（左上），光敏型硅通孔聚合物绝缘材料的平面曝光显影（左下）和光敏型硅通孔聚合物绝缘对TSV（Ar=2:1）的保形涂覆截面示意图（右，a,c,e 从wafer圆心到边沿，b,d,f 是放大照片