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3DG101A NPN硅高频小功率晶体管

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主要性能参数:工作温度范围:-55~125℃ 集电极最大允许电流:20mA 集电极-发射极反向击穿电压≥15V 集电极-基极反向击穿电压≥20V 特征频率≥150MHz 电流传输比:40~200 集电极-发射极反向截止电流≤0.01μA 发射极-基极反向截止电流≤0.01μA 集电极-发射极饱和电压≤0.35V 基极-发射极饱和电压≤1V 总耗散功率:100mW 最高结温:175℃
通用规范编号:GJB33A-1997
执行标准:ZZR-Q/BS20012-2009,
质量保证等级:QJB:JP JT J

该产品具有高频率工作的特点,放大特性好、饱和压降小,主要应用于电子设备的高频放大或振荡电路中。