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3DG162F NPN硅高频小功率高反压晶体管

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主要性能参数:工作温度范围:-55~175℃ 集电极最大允许电流:20mA 集电极-发射极反向击穿电压≥60V 集电极-基极反向击穿电压≥60V 特征频率≥100MHz 电流传输比:25~180 集电极-发射极饱和电压≤0.5V 基极-发射极饱和电压≤1V 总耗散功率:300mW 最高结温:175℃
通用规范编号:GJB33A-1997
执行标准:Q/BS20001-2006,
质量保证等级:QJB:JP JT JCT
可靠性预计质量等级:A[5]
外形尺寸或封装:A3-01B

该产品具有耐压高、频率特性好的特点,具有较强的抗热、电能力,主要用于军用电子设备高频放大、开关及振荡电路中。