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(G)3DG100(A~D) NPN硅高频小功率晶体管

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主要性能参数:工作温度范围:-55~175℃ 集电极最大允许电流:20mA 集电极-发射极反向击穿电压:20~30V 集电极-基极反向击穿电压:30~40V 特征频率:150MHz(A,B),300MHz(C,D) 电流传输比:40~180 集电极-发射极反向截止电流≤0.01μA 集电极-发射极饱和电压≤1V 基极-发射极饱和电压≤1V 总耗散功率:100mW 最高结温:175℃
通用规范编号:
执行标准:Q/FX20046-2002,QZJ840611
质量保证等级:G
可靠性预计质量等级:A[5]

该产品具有h[FE]低温性能好,可靠性高等特点,适用于高频放大和振荡电路中。