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(G)3DJ8(F~K) 硅N沟道结型场效应晶体管

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主要性能参数:工作温度范围:-55~175℃ 漏源击穿电压≥30V 栅源击穿电压≥-30V 栅源截止电压:≤|-4|V(F,G),≤|-8|V(H,I),≤|-9|V(J,K) 栅极截止电流≤-10nA 漏源饱和电流:1~3.5mA(F),3~11mA(G),10~18mA(H),17~25mA(I),24~35mA(J),34~70mA(K) 正向跨导:2000~8000μs(F),6000~12000μs(G),7000~15000μs(H~K) 噪声系数≤5dB 总耗散功率:300mW 最高结温:1该产品具有高输入阻抗、工作电流大、可靠性高等特点,适用于高频低噪声放大电路中。