1、存储容量：8TB；< br>
2、存储模块多接口PCIe3.0*4、USB3.0、Sata3.0；< br>
3、顺序写入速度2.5GB/s；< br>
4、顺序读取速度3GB/s；< br>
5、IOPS性能≥40K；< br>

6、物理销毁时间< 2s且不可恢复。

高速大容量固态存储控制技术利用高性能SoC实现对数据的高速存储，主要包括：先进接口协议转换技术、内部高速缓存技术、高性能FTL控制技术以及多通道NAND Flash并行控制技术等。
先进接口协议转换技术主要是实现当今固态存储设备最为先进的NVMe接口协议，实现存储设备与主机间数据的高速传输。
高速缓存技术主要是采用多片DDR4高速缓存芯片，通过“乒乓操作”实现读写数据的高速缓存以及地址映射表的动态加载。
高性能FTL控制技术主要是实现固态存储控制中的多种控制功能，主要包括地址映射、垃圾回收、损耗均衡、坏块管理以及掉电保护等。通过对上述功能的实现与优化，在实现对NAND Flash的高速读写操作的同时，提高整个固态存储设备的可靠性。
多通道并行技术，由于单片NAND Flash芯片读写速度以及存储容量都是有限，因此通过对多片NAND Flash的并行读写操作才能够提高读写速度以及存储容量。
同时为满足军工、金融以及电信等行业对数据可靠性的需求，存储控制技术还将实现高性能数据加解密技术以及快速物理销毁技术，以保证所存储数据的高可靠性。