成果详情
(G)CT41 多层片式瓷介电容器

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技术参数:
主要性能参数:工作温度范围:-55~125℃ 额定电压:6.3V,25V,50V,100V 标称容量:270~100000000pF 容量允许偏差:±5%,±10%,±20% 损耗角正切:≤0.025~0.1 漏电流≤50mA 绝缘电阻:≥10^5~MΩ或R[i]·C[R]≥1000MΩ·μF(取较小者) 介质耐压:2.5U[R]
通用规范编号:
执行标准:Q/RQ02G.1.1-2008,QZJ840624
质量保证等级:G
可靠性预计质量等级:A[2]
外形尺寸或封装:1.52×0.76×0.96~1
功能描述:

该产品具有体积小、容量大、可靠性水平高等特点。