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3DG100(A~D) NPN硅高频小功率晶体管

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技术参数:
主要性能参数:工作温度范围:-55~175℃ 集电极最大允许电流:20mA 集电极-发射极反向击穿电压:20~30V 集电极-基极反向击穿电压:30~40V 特征频率:≥150MHz(A,B),≥300MHz(C,D)
电流传输比:40~180 集电极-发射极反向截止电流≤0.01μA 集电极-发射极饱和电压≤1V 基极-发射极饱和电压≤1V 总耗散功率:100mW 最高结温:175℃
通用规范编号:GJB33A-1997
执行标准:Q/FX20036-2000,
质量保证等级:QJB:JP JT JC
功能描述:

该产品具有h[FE]低温性能好,可靠性高等特点,适用于高频放大和振荡电路中。