成果详情
3DJ6(D~H) 硅N沟道结型场效应晶体管

成果详情

技术参数:
主要性能参数:工作温度范围:-55~125℃ 漏源击穿电压≥30V 栅源击穿电压≥30V 栅源截止电压≤-6V 栅极截止电流≤-5nA 漏源饱和电流:0.05~10mA 正向跨导≥500μs 噪声系数≤5dB 总耗散功率:100mW 最高结温:175℃
通用规范编号:GJB33A-1997
执行标准:Q/FX20039-2002,
质量保证等级:QJB:JT JCT
可靠性预计质量等级:A[5]
外形尺寸或封装:A3-01B
功能描述:

该产品具有体积小、功耗低、频率高及输入阻抗高等特点,用于航天、航空、兵器、船舶等。