薄膜晶体管有源矩阵面板是平板显示器中最为核心、最为昂贵的部件。目前液晶平板显示器中薄膜晶体管的常用半导体材料有无定形硅和低温多晶硅，而OLED平板显示器中多采用低温多晶硅、金属氧化物半导体或有机半导体。下一代超高清3D液晶电视和OLED平板显示器对背板驱动薄膜晶体管（TFT）提出了更高的要求。现有的无定形硅（a-Si）TFT性能达不到需求；低温多晶硅（LTPS）TFT均一性难控制；金属氧化物（IGZO）TFT也存在组分难控制、均一性较差的问题。因此，基于新型半导体材料的高性能TFT是发展下一代平板显示技术的关键突破口。
        二维半导体材料的特征是载流子迁移率比现有薄膜半导体高出一到二个数量级，是高分辨率、高刷新率显示器的理想材料，能够满足驱动120赫兹4K超高清3D液晶显示器或OLED显示器的需求。另外，因二维材料TFT的工艺温度低，可以在柔性衬底上实现大尺寸柔性显示面板，带来平板显示行业革新性的进步。
        基于二维半导体材料的薄膜晶体管技术不仅有潜力带来平板显示领域的革新，因其高性能器件，有望在柔性电子器件和柔性集成电路领域带来技术突破。在器件领域，可产生新型柔性传感器和柔性存储器；在柔性集成电路领域，高性能二维半导体有望催生一批柔性电子的新应用，如柔性高频RFID和智能标签等。基于二维半导体的薄膜晶体管将帮助我国在TFT领域实现跨越式发展，意义深远。