北方华创科技集团股份有限公司针对高质量SiC晶体生长工艺需求，突破高密封性双层水冷石英管腔体结构设计、高精度控压技术、精准控温技术、快慢速线圈移动技术等，同时随着晶体生长工艺的不断完善，对SiC晶体生长设备进一步优化，确保设备的稳定性和重复性，从而达到设备的产业化发展。目前北方华创科技集团股份有限公司已具备完整的SiC晶体生长设备制造和高质量SiC晶体生长技术能力，成功研发4英寸SiC晶体生长设备样机一台,设备样机经北京电子制造装备行业协会检测，各项性能指标均已达到以下指标要求： A.极限真空度：4.8E-4Pa B.最高温度：?2510℃ C.控压精度：10KPa-100Pa内，控压精度＜50Pa D.设定速度:0.2、1、10、100、250?mm/h，实际速度:0.199、0.998、10.012、 100.023、250.034?mm/h；行程280?mm，限位开关灵活可靠 E.满足工艺要求的自动工艺程序 北方华创科技集团股份有限公司完成了4英寸SiC晶体生长工艺研发，产出晶片经中电科46所检测，各项指标均已达到如下指标要求： A.直径：100.5mm B.晶体厚度：?10.26mm C.单一晶型：100% D.微管密度：1.3个/cm2 北方华创科技集团股份有限公司已建成一条实验级晶片加工线，具备2-6英寸晶体加工能力；已配备XRD、显微镜、应力仪等检测设备，具备完善的检测能力。北方华创科技集团股份有限公司正在积极筹备4英寸SiC单晶生长设备的市场化推广。?