技术参数：
全球独创MD系列MEMS单晶硅芯片
1、1kPa, 4kPa, 40kPa, 400kPa, 4MPa, 40MPa   六个标准量程，涵盖过程控制全压力范围。全球最小标准量程1KPa，保证微差压段最优性能。
2、全球独创 桥路电阻：10kΩ
有效控制温度影响，保证输出信号超高信噪比，功耗最低。
3、全球第一的过压性能
1kPa芯片过压达1.5MPa（1500倍过压）
4kPa芯片过压达2.5MPa（625倍过压）
微差压应用可实现无中心膜片结构，提高整体准确度与静压特性，同时简化传感器结构、降低成本。
4、芯片单晶硅层厚度达2.5mm
在硅芯片技术中，硅片的尺寸与有效硅层的厚度将对芯片的成本和性能起到很关键的作用。而且统一的传感器芯片材质，将更好的实现温度特性，让芯片在温度变化时，应力特性一致。德尔森MD系列芯片，采用全单晶硅材质，尺寸与厚度都为行业内最大，不惜成本，注重品质。
5、全对称布局
芯片惠斯通电电桥与引线布局，采用梅花镜像对称布局。全对称布局、均衡受力，减小噪声来源，同时也方便一次封装，提高稳定性与一致性。
6、超低温度误差
1) 30℃→135℃→30℃（42h）:
    最大输出信号偏差仅为：-0.07uV/V
2) 30℃→-40℃→30℃（42h）:
    最大输出信号偏差仅为：-0.02uV/V
    温度影响：优于0.01%/K
功能描述：
MEMS 高过压高稳定型单晶硅压力与差压传感器
主要特点：微小量程，高稳定性，超高过压
主要应用：智能装备，汽车电子，工业自动化