研发背景
微米级SiC晶须在美国、日本等发达国家早已工业化生产，在我国尚未形成规模化生产，所用晶须主要依据于进口。

应用范围
主要用于制备陶瓷基、金属基、树脂基等复合材料；在宇航、原子能 、汽车、化学、冶金等工业领域有着广泛的
用途。SiC晶须属于巴黎协会统筹物资，限制向第三世界国家出口，我国每年的进口数量非常有限，在很大程度上限制了国内复合材料的研究和开发，所以低成本、大规模生产SiC晶须具有重要意义。用双重加热这一新技术来制备SiC纳米晶须，曾得到了山东省优秀中青年科学家科研奖励基金的资助。

技术路线及原理
双重加热炉能在较低的合成温度(1400～1600℃)下，合成SiC微米晶须或纳米晶须。目前国内主要用常规电炉合成SiC晶须，合成温度一般在1600～1800℃，晶须的直径在1微米左右，配料中需加入催化剂和矿化剂，得到的产品需要进行酸洗和水洗，以除去催化剂。与国内现有技术相比，双重加热技术的合成温度大大降低、配料不需催化剂、产品不经过酸洗和水洗。

技术特色
双重加热技术可应用于新材料制备领域，其技术原理是利用两套加热系统对试样进行内外同时加热，外加热系统为常规加热，试样为受热体；内加热系统是利用试样本身的电阻，对试样直接进行通电加热，试样为发热体。由于试样本身发热体，所以在耐火材料允许的情况下，用较少的能量，在很短的时间内就可以把试样加热到所需要的温度，具有省时、节能、高效的特点。 双重加热技术具有合成温度低、能耗少，生产工序少、生产周期短，不浪费水资源，不污染环境，产品纯度高、成本低等优点。

经济效益分析
SiC晶须属于中间产品，是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。美国和日本年产晶须上百吨，国际市场很大，国内市场有待开发，年需求量在500千克以上，潜力很大，目前已有美国和德国的公司和国内的硬质合金厂及高校向我们索要样品。SiC晶须价格高、利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。