【技术简介】采用纯度均为5个9的高纯碳粉和高纯硅粉先各自提纯，然后再以质量比为3:7的比例关系，使其均匀混合之后，装进合成坩埚内，然后放入合成炉内，进行提纯合成，合成采用固相反应法进行合成。

【主要技术指标】粒度  ≤0.1mm；硼（B）  ≤0.5ppm；磷（P）  ≤0.5ppm；硫（S）  ≤0.5ppm；铁（Fe）  ≤0.5ppm；铬（Cr）  ≤0.4ppm；镍（Ni）  ≤0.3ppm；钴（Co）  ≤0.3ppm；铝（Al）  ≤0.3ppm；镁（Mg）  ≤0.3ppm；钠（Na）  ≤0.3ppm；钛（Ti）  ≤0.3ppm；真空包装。

【技术特点】采取高温预烧的提纯方式，即将所要提纯的物质在高温炉中加热，保温并保持抽真空状态，将其中吸附的气体杂质、水分及高温下蒸发出来的杂质以气体形式随抽真空排出，以此方式来除杂。另外，对于高纯碳粉采用热氯化的方式来除杂。经过分别提纯后的高纯碳粉和高纯硅粉置于提纯处理过的坩埚中，放入合成炉中进行合成，在合成高纯碳化硅粉料的同时，通过控制合成的温度和时间来达到控制粉料颗粒度的目的。

【适用范围】高纯SiC单晶片生长用粉料

【专利状态】授权专利1项

【技术状态】批量生产阶段

【合作方式】

（1）投资需求。寻求投资扩大产能，电子级SiC高纯粉料产能达到2000Kg/年，资金需求2000万元，实施周期12个月；

（2）合作开发。与其他单位合作进行技术开发、市场开拓等，并共享新产品有关权益。

（3）技术服务。利用技术为其他单位提供设计开发、难题诊断及技术攻关、设备及生产线研发、工程设计等服务。

【预期效益】掌握碳化硅粉料研制的关键科学技术，形成自主知识产权，不但可满足国内碳化硅研制单位对碳化硅材料的要求，打破国外封锁禁运，而且推动宽禁带半导体技术在我国的发展，对发展独立自主的高科技科学技术意义重大。将会产生极为显著的社会效应。