【技术开发单位】中国科学院半导体研究所
【技术简介】锑化物超晶格红外焦平面探测器技术,是近年来发展十分迅速的第三代高性能制冷型红外探测技术。其良好的均匀性、相对较低的制备难度、较高的成品率以及与碲镉汞材料相当的红外技术性能,使得整个红外探测器组件满足了当前多种装备平台应用所必须的:成本、体积、重量、功耗(C-SWaP)等控制要求。具体说来:1、其探测效率与碲镉汞相当,可以采用能带调控方法实现2-30微米宽谱响应;2、材料制备技术难度低,可以利用分子束外延等技术获得均匀性好、制备重复性高、稳定性好的高性能材料,目前我单位最大外延材料尺寸达到4英寸,充分满足了1K×1K以上大面阵红外焦平面芯片的研制需求。
【主要技术指标】
PARAMETER                         中波红外焦平面         长波红外焦平面
Format                                   640×512                       640×512
NETD                                       ≤   20mK                       ≤   20mK
Pitch                                     15   μm                           15   μm
Waveband                               3.7-4.8   μm               7.7   ~10μm
Cold   shield   F#                             F/2                           F/2
FPA   Working   Temperature         120K                           80K
Frame   rate   @   full   window       30/60   Hz                 30/60   Hz
DDC   weight                                 600g                         600g
【技术水平】国内领先
【使用范围】红外夜视,红外制导,红外预警
【专利状态】申请专利13项
【技术状态】试生产,应用开发阶段
【合作方式】合作开发
【投入需求】初级生产线总投入约2亿
【转化周期】3年
【预期效益】预计年产值超过10亿人民币