【技术开发单位】中国电子科技集团公司第五十五研究所

【技术简介】GaN  HEMT材料具有低的导通电阻、高的工作频率，能满足下一代功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。相对于同为宽禁带半导体的SiC大功率器件，GaN高功率器件不仅具有耐高压以及高电流的特性，更具有开关速度快，在同样的耐压条件下，导通电阻远低于SiC功率器件等优势，具有更快的速度，更小的损耗以及更高的效率。

GaN基产品具有高射频功率密度和效率、低电容和高热能传导性等特点，这些特点使精密高效的高功率放大器得到发展及广泛应用，这些应用包括移动无线通信（PMR）、3G/4G无线基础设施、ISM（工业、科学和医疗）、民用雷达以及CATV传输网络。

【主要技术指标】

4英寸GaN  HEMT外延材料：

(1)方块电阻不均匀性＜2%

(2)室温二维电子气迁移率＞50000px2/V.s

(3)GaN缓冲层（002）面XRD衍射峰半高宽＜240弧秒、

(4)表面粗糙度＜0.5nm

【技术特点】金属基泄气保用车辆是一项具有自主知识产权新型发明产品。在实现零压续跑的和轻量化的同时，可彻底改善轮胎散热条件，延长轮胎使用寿命，提高轮式车辆的安全性、舒适性和泄气使用等综合性能。

【技术水平】国际先进

【适用范围】雷达、无线通信、能源转换车等行业领域。

【专利状态】已取得专利17项

【技术状态】小批量生产、工程应用阶段

【合作方式】合作开发

【投入需求】5000万元

【转化周期】3年

【预期效益】GaN  HEMT外延材料是新型微波功率器件、电力电子器件研制的基础，在电力传输、能源转换、无线通信、新能源汽车等行业领域有着广阔的应用前景。目前中国电子科技集团公司第五十五研究所年产4英寸GaN  HEMT外延片2000片以上，产值达到6000万元每年，如果加大投入并吸收海内外高水平技术、营销团队，该项目年产值将达到3亿元以上。