【技术简介】  该GaN基电子材料制备技术是采用MOCVD方法生长GaN基外延材料，生长速度快、材料质量好，重复性和均匀性高，非常适于研制生产高频、大功率GaN基功率器件、单片集成电路和电力电子器件。该技术已获多项国家发明专利授权，并分获国防科技进步一等奖和北京市科技二等奖，用此材料已研制出我国第一支HEMT、第一支X波段HEMT、第一块GaN基MMIC和GaN基电力电子器件并应用于核高基重大专项。

【主要技术指标】  GaN基电子材料方块电阻：270-400Ω/□之间可调；方块电阻片内不均匀性：优于3%；室温二维电子气迁移率：大于45000px2/Vs；外延材料尺寸：2英寸、3英寸、4英寸，并可扩展到6～8英寸或更大尺寸。

【技术水平】国际先进

【适用范围】  可广泛应用于手机基站、航空航天、卫星通信、智能电网等领域。

【专利状态】已经取得专利20项

【技术状态】小批量生产、工程应用阶段

【合作方式】技术转让    许可使用    合作开发    技术服务

【投入需求】3000～5000万

【转化周期】６个月

【预期效益】1000～2000万/年