【技术开发单位】中国电子科技集团公司第四十三研究所
【技术简介】本技术为建设完整的围绕光电子器件的先进封装材料产业集群,目标是形成为全球光电子行业服务的高导热氮化铝封装/基板、薄膜金属化基板产业,打造光电子器件封装材料领域全球一流的研发和生产能力,满足光电子行业等国家战略新兴产业的需求。
1、氮化铝封装/基板:形成AlN多层陶瓷基板、大尺寸流延AlN陶瓷基板和AlN结构异型件的大批量生产能力,产品的主要技术指标达到国际同类产品先进水平。
2、薄膜金属化基板:高温共烧陶瓷基板上制作薄膜金属化多层可以充分发挥各自的优点,利用高温共烧基板容易实现多层的特点,将电路中的电源层、接地层做在多层基板的内部;利用薄膜技术擅长制作精细线条的优点,将信号线、微带线放在表层。
【主要技术指标】
(1)43所是国内最早开展AlN研究的单位之一,从“七五”开始,就开始了AlN材料的研究,二十多年来,经过几代人的努力,我所已经掌握了包括AlN基板(包括异型结构件)、AlN系列金属化基板、AlN多层基板、AlN封装等几乎涉及到AlN材料研究的每一个领域的技术成果,初步形成了一个较为完整的、技术水平国内领先的AlN产品系列。主要技术指标:
热导率:180  W/m?K;
最大面积为140×120mm2;
层数:9层;
导体方阻:10mΩ/□;
最小线宽0.2mm;
最小线间距0.15mm.
(2)43所也是目前国内薄膜金属化工艺技术能力最强的单位之一,在96%  Al2O3、99%Al2O3、微晶玻璃、BeO、AlN基板上有成熟的薄膜金属化技术,能生产TaN、NiCr等高精密电阻,目前拥有极富开拓性和创造性的研发团队,技术产品已在相关军事领域等批量应用。主要技术指标:
最小线宽/线间距:20um;
膜厚均匀性:±10%;
膜层覆着力:300℃高温考核;
膜系:Au/Sn、Au/WTi等;
频率:可达70GHz.
【技术水平】国际先进
【适用范围】1、高导热氮化铝封装基板作为绝缘、热沉基板广泛应用于光通讯器件、LED、电力电子和移动通讯行业。
2、薄膜金属化基板应用极其广泛,随着新学科、新材料、新工艺的发展,薄膜技术已经渗透整个信息电子行业,在光通讯、光照明行业发展尤为迅速。
【专利状态】已取得专利8项
【技术状态】小批量生产、工程应用阶段
【合作方式】合作开发  技术服务
【投入需求】2600万元
【转化周期】半年
【预期效益】
经济效益:估算2016年产业能力建成达产时的销售收入的情况为高导热氮化铝基板2亿元、薄膜金属化基板2亿元,合计4亿元。
社会效益:本产业化项目建设完成后,将形成光电子器件用新型封装材料和军民两用新型封装材料的综合研制保障能力,新的封装材料技术平台的建立将为新型高端器件的研制奠定坚实的基础,对于加速我国混合微电子器件基础产品的发展、推进武器装备的更新换代、加速我国电子基础产品的国产化发展进程具有重要的意义。