研发背景
项目简介：
IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor，集成门极换流晶闸管）是在晶闸 管（SCR）和门极可关断晶闸管（GTO）基础上发展起来的一种大功率半导体开关器件。

应用范围
各类需要开关器件的产品。

技术路线及原理
北京交通大学电气工程学院自 2004 年开始开展 IGCT 集成门极驱动技术的研究， 成功研制了 4000A/4500V 不对称型和 1100A/4500V 逆导型 IGCT 器件集成门极驱动单 元，在国内率先掌握相关核心技术并完成了产品的试验测试，已申请相关专利 5 项，拥 有 IGCT 集成门极驱动技术的完全自主知识产权。

技术特色
IGCT 由门极换流晶闸管 GCT（Gate Commutated Thyristor）和集成门极驱动单 元共同组成。由于集成门极驱动单元承担了所有驱动、控制和保护的任务，使用者只需 要提供电源和光纤控制信号，就可以简单地实现对 IGCT 器件开通关断的控制。

经济效益分析
在科技部科技支撑计划项目的支持下， 北京交通大学电气工程学院正与国内多家企业合作，积极开展国产 IGCT 器件应用技术 的研究，共同推进自主大功率电力电子器件的产业化进程。